一种基于双沟道结构的SOI-LIGBT器件

摘要

本发明公开了一种基于双沟道结构的SOI-LIGBT器件，包括P型衬底；P型衬底上铺设有埋氧层，埋氧层上铺设有N-外延层，N-外延层上嵌设有P+集电极区，位于P+集电极区一侧的N-外延层上并排设有两个相互对称的体区结构；体区结构包括设于N-外延层上P阱、嵌设于P阱上的N+发射极区以及贯穿P阱的P+接触区。本发明通过在发射极处设置两个沟道区，使空穴电流从集电极流到发射极时，均分成两股电流，故流过寄生NPN三极管基极电流减小为总电流的一半；抑制了寄生晶闸管的开启，提高了器件的抗闩锁能力，从而提升了器件的可靠性。

主权项

一种基于双沟道结构的SOI‑LIGBT器件，包括P型衬底；所述的P型衬底上铺设有埋氧层，所述的埋氧层上铺设有N‑外延层，所述的N‑外延层上嵌设有P+集电极区，所述的P+集电极区上设有金属电极；其特征在于：位于P+集电极区一侧的N‑外延层上并排设有两个相互对称的体区结构；所述的体区结构包括设于N‑外延层上P阱、嵌设于P阱上的N+发射极区以及贯穿P阱的P+接触区；所述的P+接触区一端穿出P阱后伸入N‑外延层内；所述的体区结构上设有连接N+发射极区和P+接触区的金属电极，两个体区结构分别对应的两个金属电极相连通；所述的P+集电极区与其相邻的体区结构之间的N‑外延层上铺设有场氧层；两个体区结构之间的N‑外延层上铺设有栅氧层，所述的栅氧层两侧分别延伸至与两个体区结构对应的两个N+发射极区相接触，所述的栅氧层上设有栅电极区。