| 发明名称 | 相移光掩模和图案化方法 | ||
| 摘要 | 一种相移光掩模坯，具有石英衬底、下铬层、光吸收MoSi层和上铬层。能以各种手段来图案化该掩模以形成带有相移和二元区域的图案化的光掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN102822741A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201080060390.1 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·奥尔森;M·刘;C·马;J·马;A·T·贾米森 |
| 分类号 | G03F1/29(2012.01)I;G03F1/26(2012.01)I;G03F1/30(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/29(2012.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 姜冰;卢江 |
| 主权项 | 一种光掩模坯，包含：衬底；所述衬底上的下硬掩模区；所述下硬掩模区上的吸收区；以及所述吸收区上的上硬掩模区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||