高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板

摘要

本发明是一种用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InverMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成晶片初镀的第二次镀膜过程。优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。

主权项

一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版镀膜MASK完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。