| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 具备在半导体基板(1)的上方隔着层间绝缘膜(11)、(21)等而形成的外部连接用电极。外部连接用电极具有：露出上表面的焊盘金属层(8)；形成于该焊盘金属层(8)与半导体基板(1)之间的第1金属层(2)；贯通层间绝缘膜(21)而将焊盘金属层(8)和第1金属层(2)电连接，并且，形成于层间绝缘膜(21)的至少2个第1通孔(22)。第1通孔(22)彼此间的最大的间隔b，大于焊盘金属层(8)的宽度尺寸a。 | ||
| 申请公布号 | CN102668047A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201080052347.0 | 申请日期 | 2010.09.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 樱井大辅 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具备在半导体基板上隔着至少2层层间绝缘膜而形成的外部连接用电极，所述外部连接用电极具有：露出上表面的第1金属层；形成于所述第1金属层与所述半导体基板之间的第2金属层；形成于所述第1金属层与所述第2金属层之间的第3金属层；和贯通所述第2金属层与所述第3金属层之间的第1层间绝缘膜且将所述第2金属层和所述第3金属层电连接的至少2个第1通孔，所述第1通孔彼此间的最大的间隔，大于所述第1金属层的宽度尺寸。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||