用于处理基板的设备和方法

摘要

一种基板处理设备包括：腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及第二供应件，其被设置为在该基板上方供应第二源气体。该腔包括下部腔，该下部腔中安装有允许在其上放置基板的支撑件。该下部腔的顶部是敞开的。第二供应件安装在该下部腔的上端，以在大体上与放置在该支撑件上的基板平行的方向上供应第二源气体。第二源气体可以是含硅气体。

主权项

一种基板处理设备，该基板处理设备包括：腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及第二供应件，其被设置为在该基板上方供应第二源气体，其中，所述腔包括：顶部敞开的下部腔；和被设置为敞开和封闭所述下部腔的顶部的上部腔，第一供应件包括喷射板，该喷射板安装在所述上部腔的与所述处理空间相对的天花板上，用于朝向所述处理空间向下供应第一源气体，并且在所述喷射板与所述上部腔的所述天花板之间限定有一缓冲空间。