| 发明名称 | 在流动式CVD工艺所形成的介电材料上进行的湿法氧化工艺 | ||
| 摘要 | 提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行湿法氧化工艺，以及在基板上形成经氧化介电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102652355A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201080055791.8 | 申请日期 | 2010.11.04 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | L·王;A·B·马利克;N·K·英格尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍;张欣 |
| 主权项 | 一种在基板上形成经氧化介电材料的方法，包含下列步骤：藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料；固化设置在所述基板上的所述介电材料；在设置在所述基板上的所述介电材料上进行湿法氧化工艺；以及在所述基板上形成经氧化介电材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||