发明名称 基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器
摘要 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器,包括:一个对称垂直耦合光栅,作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器;两个模式转换器,作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接;两个光学相移臂,每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成;一个光学合束器,用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束,从而将光的相位调制转换为强度调制;两个共面波导行波电极,分别位于两个光学相移臂的上面,与光学相移臂中的电学结构形成电学接触,用于射频/微波电调制信号的加载和传输;一个环形金属对准标记,位于对称垂直耦合光栅的周围,用于光栅测试时对光纤的对准。
申请公布号 CN102540505A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201210010933.X 申请日期 2012.01.13
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 陈弘达;张赞允;黄北举;张赞
分类号 G02F1/025(2006.01)I 主分类号 G02F1/025(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器,包括:一个对称垂直耦合光栅,作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3‑dB光学分束器;两个模式转换器,作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接,可以实现近似无损耗的能量传输以及模式转换;两个光学相移臂,每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成,该电学结构是正向p‑i‑n结构、反向pn结构或MOS电容结构;一个光学合束器,是Y分支或者MMI耦合器,用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束,从而将光的相位调制转换为强度调制;两个共面波导行波电极,分别位于两个光学相移臂的上面,与光学相移臂中的电学结构形成电学接触,用于射频/微波电调制信号的加载和传输;一个环形金属对准标记,位于对称垂直耦合光栅的周围,用于光栅测试时对光纤的对准。
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