等离子体蚀刻方法

摘要

本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其特征为，使用形成有互相邻接的凹部间隔在200nm以下的图形的抗蚀剂掩膜，并通过将包括含碳和氟的化合物形成的活性种生成用的气体，和含有氩气和氙气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，以在形成于所述抗蚀剂掩膜的凹部的内周面不产生弯曲的方式对层叠在衬底膜上的含硅和氧的绝缘膜进行蚀刻，其中，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率为0.1以上0.25以下。