发明名称 | 一种防电源毛刺攻击的检测电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种易于在CMOS工艺集成的高速的负电源Glitch检测电路。传统电路如果检测集成电路电源上出现的高频毛刺,则需要较大的功耗才能对较高频率的电源毛刺响应,本发明的目的在于以较低的功耗代价来实现高频电源Glitch的检测。本发明的电源Glitch检测电路包括采样模块、稳压模块、保持模块、以及放大电路模块;采样模块由串联电阻连接电源、地实现对电源上毛刺的采样;稳压模块由R、C构成;保持模块通过输入对管、NMOS管与电容参数的合理匹配实现;放大模块对于保持模块的输出信号放大输出检测标志位。 | ||
申请公布号 | CN101943728B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
申请号 | CN200910088706.7 | 申请日期 | 2009.07.06 |
申请人 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 发明人 | 马哲 |
分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种防电源毛刺攻击的检测电路,其特征在于:包括有稳压模块、采样模块、保持模块、放大模块,采样模块由串联电阻R2、R3连接电源、地,串联电阻R2、R3的公共节点S1为采样输出节点;所述稳压模块由电阻R1、电容C2串联在电源、地之间,其公共节点Vddin作为输出节点;所述保持模块中PMOS管P1、P2的源端连接节点Vddin,PMOS管P1、P2栅端连接PMOS管P1漏端,并由PMOS管P1漏端输入外界偏置电流;所述保持模块输入对管为PMOS管P3、P4,PMOS管P3、P4源端均连接PMOS管P2管漏端,PMOS管P3的栅端连接所述采样模块的输出节点S1,PMOS管P4的栅端连接参考电压VREF,PMOS管P4漏端连接地,PMOS管P3漏端连接NMOS管N1漏端,NMOS管N1漏端与NMOS管N1栅端连接,NMOS管N1源端接地,NMOS管N1栅端连接电容C1一端,电容C1另一端与地相连;所述放大模块输入端与所述保持模块中NMOS管N1栅端相连,放大模块输出端为检测电路输出端。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区高家园1号 |