| 主权项 |
1﹒下式(Ia)化合物及其互变异构体之制 法: 其中,R1代表氢原子,甲氧基,1─羟 乙基,1─取代矽烷氧乙基。 R3代表羧基或受保护之羧基; 本法包括如下步骤: (a)令下式(II)之4─甲硫基丁啶─2 ─酮 其中R1意义同上R10代表受保护羧基 ;在硷及惰性有机溶剂之存在下宜于─7 8-─20℃与二硫化碳反应后,与二羧 醯二卤反应,(b)令步骤(a)之生成 物,在惰性有机溶剂中于─20℃-室温 用卤化剂(如氯,溴,磺醯氯及磺醯溴) 卤化; (c)将步骤(b)之生成物,在惰性溶剂中于 ─20℃-室温与硷反应,得下式(XI I)之化合物: (其中R1和R10意义同上);和(d )必要时,在惰性溶剂中于0℃-室温解 除受保护基。 2﹒如请求专利部份第一项之制法,其中,该 式(XII)化合物于步骤(d)中除去 保护基之前成之后,与下式(XIX)化 合物反应: (其中R7"代表C1─3烷氧基,C1 ─3烷基,具有一个或多个卤素取代基之 C1─3烷基,芳基,氨基,C1─3烷 基取代之氨基,其烷基任意具有一个或多 个(受保护)羟基,羧基取代基,基, 环氨基,羟氨基,甲氧氨基,或C1─3 烷氧基,Y代表卤素原子,C1─3烷基 磺醯氧基,或芳基磺醯氧基,而A1代表 直或分岐链C1─3次烷基),得下式化 合物: (其中,R1,R7",R10和A1意 义同上),必要时,脱除任何受保护基者 。 3﹒如请求专利部份第一项之制法,其中R1 代表氢原子,─羟乙基,或甲氧基;而 R3代表羧基,戊醯氧基甲氧碳基,或对 一硝氧羰基者。 4﹒如请求专利部份第一项之制法,其中,最 后生成物被化,而制成其者。 5﹒下式(I)所示化合物之制法: 其中,R1同请求专利部份第一项之规定 ,R2代表下式之基: 其中A1代表直或分岐链C1─3次烷基 ,而R7代表C1─3烷基,具有一个或 多个卤素取代物之C1─4烷基,芳基, 氨基C1─3烷基取代之氨基,其烷基可 随意具有一个或多个羟基,氨基,羧基, 或受保护之羧基取代物,环氨基,羟基, C1─3烷氧基,芳氧基,芳烷氧基, 基,羟氨基,甲氧氨基; 本法包括如下步骤: (a)令下式(Ii)之4─甲硫基丁啶─2 ─酮; 其中R1同上,R10代表受保护羧基; 在硷及惰性有机溶剂之存在下宜于─78 -─20℃与二硫化碳反应后,与下式( IV)之化合物反应; 其中,A1意义同上,而R7'代表氢原 子,C1─3烷基,具有一个或多个卤素 取代物之C1─3烷基,或芳基; (b)将步骤(a)之生成物,在惰性有机溶剂 中于─20℃-室温用卤化剂(如氯,溴 ,磺醯氯及磺醯溴)卤化; (c)令步骤(d)之生成物在惰性溶剂中于─ 20-室温与硷反应得下式(xxVI) 之化合物: 其中,A',R7',R1和R10意义同 上;和(d)必要时,在惰性溶剂中于─ 20℃-室温除去任何保护基而必要时, 将R7'代表之任一基,转化成R7代表 之任一基者。 6﹒如请求专利部份第五项之制法,其中R1 代表氢原子,─羟乙基或甲氧基; R2代表下式之基; 其中R7同请求专利部份第五项之规定R 3代表羧基,戊醯氧基甲基羰基,或对硝 氧羰基者。 7﹒如请求专利部份第五项之制法,其中,最 后生成物化制成其者。 8﹒下式(Ie)化合物之制法: 其中,R1同请求专利部份第一项之规定 ; R3代表羧基或受保护羧基; R12代表氢原子,或C1─3烷基,R 13'代表氢原子,C1─3烷基,具有 一个或多个羟基,氨基、羧基或受保护羧 基取代物之C1─3烷基、芳基、芳烷基 、氨基、具有一个或多个C1─3烷基、 芳烷基或芳基取代物之氨基、羟基、C1 ─3烷氧基,或R12和R13连同其附 之氮原子,代表有一以上取代基之吗 基,咯烷基或基:而A'同上; 本法包括如下步骤; (a)令下式(II)之4─甲硫基丁啶─2 ─酮, 其中R1同上R10代表受保护羧基; 在醯及惰性有机溶剂之存在下宜于─78 -─20℃,与二硫化碳反应后,与下式 (V)化合物反应: 其中,x代表卤素原子,A'意义同上, 而Z代表卤素原子或C1─8烷氧羰氧基 ; (b)将步骤(a)之生成物,在惰性有机溶剂 中于─20℃-室温用卤化剂(如氯,溴 ,磺醯氯及磺醯溴)卤化; (c)令步骤(B)之生成物,在硷及惰性溶剂 之存在下,于─20℃-室温与下 (其中,R12代表氢原子,或C1─3 烷基,而R13代表氢原子,C1─3烷 基,具有一个或多个羟基,受保护氨基或 受保护羧基取代物之C1─3烷基,芳基 ,芳烷基,氨基,具有一个或多个C1─ 3烷基,芳烷基,或芳基取代物之氨基, 羟基,C1─3烷氧基,或R12和R1 3连同其附之氮原子,代表有一以上取 代基之吗基,咯烷基或基),得 下式(XVI)之化合物: (其中,R1,R10,R12,R13 和A'意义同上),必要时,脱除任何保 护基。 9﹒如请求专利部份第八项之制法,其中R1 代表氢原子,─羟乙基,或甲氧基;而 R3代表羧基,戊醯氧基甲基羰基,或对 硝氧基羰基者。 10﹒如请求专利部份第八项之制法,其中,最 后生成物化制成其者。 11﹒下式(Ia)化合物之制法: 其中R1同请求专利部份第一项之规定R 3代表羧基或受保护羧基; 本法包括如下步骤:(1)令式(II)之4─甲硫基丁啶 ─2─ 酮 R1同上,R10代表受保护羧基; 在硷及惰性有机溶剂之存在下宜于─78 -─20℃与二硫化碳反应后,与下式( VI)化合物反应; 其中,x代表卤素原子,而R11代表c 1─3烷基,芳基,或芳烷基;(2)将步骤(1)之生成物,在 惰性有机溶剂 中于─20℃-室温用卤化剂(如氯,溴 ,磺醯氯及磺醯溴)卤化;(3)令步骤(2)之生成物与在 惰性溶剂中于 ─20℃-室温与硷反应得式(XII) 之化合物: 其中,R1和R10意义同上;以及(4 )必要时,在惰性溶剂中于─20℃-室 温除去任何保护基。 12﹒如请求专利部份第十一项之制法,其中, 该式(XII)之化合物,在步骤(4) 内除去保护基和转化该羟基之前或之后, 在硷及惰性溶剂之存在下于─40℃-─ 100℃ (其中Y,A及R7"同上),得下式( (XX)化合物; (其中,R1,R7,R10和A'意义 同上),必要时,解除任何受保护基者。 13﹒如请求专利部份第十一项之制法,其中: R1代表氢原子,─羟乙基,或甲氧基 ,而R3代表羧基,戊醯氧基甲氧羰基, 或对硝氧基羰基者。 14﹒如请求专利部份第十一项之制法,其中, 最后生成物化制成其者。 15﹒下式(If)化合物之制法: 其中R1及A'同上,R3代表羧基或受 保护羰基; R11'代表氢原子,C1─3烷基,芳 基,或芳烷基; 本法包括如下步骤:(1)令式(II)之4─甲硫基丁啶 ─2─ 酮; 其中R1同上,R10代表受保护羧基; 在硷及惰性有机溶剂之存在下宜于─78 -─20℃与二硫化碳反应后,与式(V )之化合物反应: 其中,X代表卤素原子,A'意义同上, 而Z代表卤素原子或C1─13烷氧基羰 氧基;(2)将步骤(1)之生成物,在惰性有机溶剂 中于─20℃-室温用卤化剂(如氯,溴 ,磺醯氯及磺醯溴)卤化;(3)令步骤(2)之生成物与式( XVII) 之化合物: HO─R11'(其中R11'意义同上) ,在硷及惰性溶剂之存在下于─20-室 温反应,得式(XVIII)之化合物; 其中R1,R10,R11和A'意义同 上;以及(4)必要时,在惰性溶剂中于 ─20℃-室温解除任何受保护基。 16﹒如请求专利部份第十五项之制法,其中, R1代表氢原子,─羟乙基或甲氧基, 而 R3代表羧基,戊醯氧基甲氧羰基,或对 硝氧羰基者。 17﹒如请求专利部份第十五项之制法,其中, 最后生成物化制成其者。 |
