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LA FABRICACION DE UN MATERIAL SEMI CONDUCTOR, MEJORANDO SU TIEMPO DE ABILIDAD, EN SU CAMPO DE MAGNESIO, Y SOBRE TODO MEJORAR EL ALMACEN DE ELEMENTOS. LA ORDENACION CONSTA DE UNA CONFECCION DE VARIANTES EN UN CAMPO MAGNETICO (1) CONTINUANDO A SU VEZ CON LA INTENSIDAD ELECTRONICA Y EL SISTEMA METAMORFOSICO (2). EL CAMPO MAGNETICO (1), CONSTA DE UN ALMACEN ELECTRONICO (1) UNO DE ESTOS CAMPOS ACTUAN CONFORME AL AMPLIFICADOR (3) Y EL CONDUCTOR MORFOSICO (4). LOS CAMBIOS SE PRODUCEN POR LA INTENSIDAD DE FRECUENCIAS, Y EL ANALOGO DIGITAL. EL AMPLIFICADOR (3) ES MIEMBRO DE CORRECCION QUE TRANSMITE PROPORCIONALMENTE LA CONFECCION DE VRIANTES A LOS FACTORES (1+ N/N) O (1 N/N). ESTE CONSTA (3) DE UN AMPLIFICADOR OPERATIVO, QUE SE INTERPONE, ENTRE LA RESISTENCIA DE ACOPLAMIENTO Y LA RESISTENCIA DE ENTRADA DEL AMPLIFICADOR, ESTE FACTOR ESTA RELACIONADO CON LA OPOSICION DE VALORES, QUE ACTUAN SIMETRICAMENTE EN MEDIO Y UNIENDO EL CAMPO MAGNETIO (1) CON EL MATERIAL SEMI CONDUCTOR. POR OTRA PARTE EL FACTOR N ES EL PORTADOR DE CONCENTRACION DEL MATERIAL SEMI CONDUCTOR, Y APLICANDOLE EL FACTOR N, SE PRODUCE UN CAMBIO EN EL PORTADOR DE MATERIALES (R). OBTENIENDO LA IGUALDAD DEL CAMPO MAGNETIDO (1) QUEDANDO ASI EL PORTADOR DE CONCENTRACION (N) AL MIMO NIVEL QUE EL CAMPO MAGNETICO (1).
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