FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜、通过第三构图工艺形成包括连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤4、沉积第二透明导电薄膜，通过第四构图工艺形成包括公共电极的图形。本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。

主权项

一种FFS型TFT‑LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括公共电极区域、公共电极线区域、栅电极区域、栅线区域、数据线区域、半导体层区域、源电极区域、漏电极区域、像素电极区域、PAD区域的栅线区域及PAD区域的数据线区域，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤4、沉积第二透明导电薄膜，通过第四构图工艺形成包括公共电极的图形。