| 主权项 |
一种显示装置，包含：第一基板；第二基板，相对于第一基板；绝缘层，置入于第一基板与第二基板之间；保护层，置入于该绝缘层与第二基板之间；第一导线，大致延伸于第一方向且包含第一部分，第一导线埋入于该第一绝缘层与第一基板之间；第二导线，形成于该绝缘层之上，大致延伸于第一方向且包含第二部分，其中，第二导线于其第二部分具有测量于第二方向之宽度，第二方向系垂直于第一方向，当自第一基板往第三方向看去，第一导线之第一部分系重叠于第二导线之第二部分，第三方向系垂直于第一与第二方向；熔接封条，互连第一与第二基板，其中，该熔接封条系包含置入于第二基板与保护层之间的第一部分，该熔接封条系包含置入于第二基板与第二导线的第二部分之间的第二部分，且该熔接封条之第二部分系接触第二导线之第二部分。如申请专利范围第1项之装置，其中，该保护层系包含第一部分，该保护层之第一部分系置入于熔接封条与绝缘层之间而不置入于熔接封条与第二导线的第二部分之间，该保护层于其第一部分包含第一表面，第一表面系面对第二基板，第二导线于其第二部分包含第二表面，第二表面系接触该熔接封条，第一表面于第一表面与第一基板的表面之间具有第一距离，第一距离系测量于第三方向，第二表面于第二表面与第一基板的表面之间具有第二距离，第二距离系测量于第三方向，该保护层于其第一部分具有第一厚度，第一厚度系测量于第三方向，且于第一距离与第二距离之间的差异系约等于或小于第一厚度。如申请专利范围第2项之装置，其中，该差异系约等于或小于第一厚度的一半。如申请专利范围第2项之装置，其中，该差异系约等于或小于第一厚度的三分之一。如申请专利范围第2项之装置，其中，该差异系约等于或小于3000@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!。如申请专利范围第2项之装置，其中，该第二表面具有于第二方向之宽度，且该第二表面之宽度系小于第二导线于其第二部分之宽度。一种制造显示装置之方法，该种方法系包含：提供第一基板，其包含基板与形成于第一基板上之结构，该结构包含第一导线、绝缘层、第二导线、与保护层，其中，该绝缘层系置入于第一基板与保护层之间，第一导线系埋入于第一基板与绝缘层之间，第二导线系埋入于保护层与绝缘层之间，第一导线大致延伸于第一方向且包含第一部分，第二导线大致延伸于第一方向且包含第二部分，第二导线于其第二部分具有宽度，该宽度系测量于垂直于第一方向之第二方向，当自第一基板往第三方向看去，第一部分系重叠于第二部分，第三方向系垂直于第一与第二方向；选择性蚀刻该结构之一部分，藉以暴露第二导线之第二部分；配置第二基板，藉以相对于第一基板；置入熔接物于第一基板与第二基板之间，其中，该熔接物系包含置入于保护层与第二基板之间的第一部分，且该熔接物系包含置入于第二基板与第二导线的第二部分之间的第二部分。如申请专利范围第7项之方法，其中，该熔接物之第二部分系接触第二导线之第二部分。如申请专利范围第7项之方法，其中，该保护层系包含第一部分，该保护层之第一部分系置入于该熔接物与绝缘层之间而不置入于该熔接物与第二导线的第二部分之间，该保护层于其第一部分包含第一表面，第一表面系面对第二基板，第二导线于其第二部分包含第二表面，第二表面系面对第二基板，第一表面于第一表面与第一基板的表面之间具有第一距离，第一距离系测量于第三方向，第二表面于第二表面与第一基板的表面之间具有第二距离，第二距离系测量于第三方向，该保护层于其第一部分具有第一厚度，第一厚度系测量于第三方向，且于第一距离与第二距离之间的差异系约等于或小于第一厚度。如申请专利范围第9项之方法，其中，该差异系约等于或小于第一厚度的一半。如申请专利范围第9项之方法，其中，该差异系约等于或小于第一厚度的三分之一。如申请专利范围第7项之方法，其中，该保护层系包含第一部分，该保护层之第一部分系置入于该熔接物与绝缘层之间而不置入于该熔接物与第二导线的第二部分之间，该保护层于其第一部分包含第一表面，第一表面系面对第二基板，第二导线于其第二部分包含第二表面，第二表面系面对第二基板，第一表面于第一表面与第一基板的表面之间具有第一距离，第一距离系测量于第三方向，第二表面于第二表面与第一基板的表面之间具有第二距离，第二距离系测量于第三方向，且于第一距离与第二距离之间的差异系约等于或小于3000@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!。如申请专利范围第7项之方法，其中，该保护层系包含第一部分，该保护层之第一部分系置入于该熔接物与绝缘层之间，该保护层之第一部分系不置入于该熔接物与第二导线的第二部分之间，该保护层于其第一部分包含第一表面，第一表面系面对第二基板，第二导线于其第二部分包含第二表面，第二表面系面对第二基板，第一表面于第一表面与第一基板的表面之间具有第一距离，第一距离系测量于第三方向，第二表面于第二表面与第一基板的表面之间具有第二距离，第二距离系测量于第三方向，该绝缘层于其一个部分具有第二厚度，该部分系置入于第一导线的第一部分与第二导线的第二部分之间，第二厚度系测量于第三方向，且于第一距离与第二距离之间的差异系约等于或小于第二厚度。如申请专利范围第13项之方法，其中，该差异系约等于或小于第二厚度的一半。如申请专利范围第13项之方法，其中，该差异系约等于或小于第二厚度的三分之一。如申请专利范围第7项之方法，其中，该熔接物系包含重叠于第二导线之第二部分的延长线段，该延长线段大致沿着第二方向延伸。如申请专利范围第7项之方法，其中，该熔接物系接触第二导线之第二部分而实质遍及第二导线于其第二部分之全宽。如申请专利范围第7项之方法，其中，该结构之蚀刻部分具有测量于第二方向之宽度，该蚀刻部分之宽度系大于第二导线于其第二部分之宽度。如申请专利范围第7项之方法，其中，该结构之蚀刻部分具有测量于第二方向之宽度，该蚀刻部分之宽度系小于第二导线于其第二部分之宽度。如申请专利范围第7项之方法，其中，该结构更包含另一个绝缘层，而此外的另一个绝缘层系置入于该绝缘层与第一基板之间，第一导线系埋入于该绝缘层与另一个绝缘层之间。如申请专利范围第7项之方法，其中，置入熔接物之步骤系包含形成该熔接物于第一与第二基板之一者且配置第一与第二基板，俾使该熔接物系置入于第一与第二基板之间。 |
