| 发明名称 | 具有柔顺性的微电子组件及其方法 | ||
| 摘要 | 一种制作微电子组件的方法包括：提供半导体晶片(20)，其具有可在第一表面(22)处被触及的触点；在第一表面(22)上形成柔顺性凸块(32)；以及在柔顺性凸块(32)上沉积牺牲层(34)。所述方法包括研磨牺牲层(34)和柔顺性凸块(32)以便平面化柔顺性凸块(32)的顶表面(36)，从而平面化顶表面(36)可被经过所述牺牲层(34)触及。牺牲层(34)被去除以暴露柔顺性凸块(32)和触点(38)。硅酮层(40)被沉积在柔顺性凸块(32)上，并且硅酮层(40)的一些部分被去除以暴露可在半导体晶片(20)的第一表面(22)处被触及的触点(38)。导电迹线(42)被形成为具有与触点(38)电连接的第一端部和层叠于柔顺性凸块(32)上的第二端部，并且导电元件设置在迹线(42)的第二端部的顶部上。 | ||
| 申请公布号 | CN101584033B | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN200780049974.7 | 申请日期 | 2007.12.19 |
| 申请人 | 泰塞拉公司 | 发明人 | V·奥加涅相;G·高;B·阿瓦;D·奥夫如特斯基 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 一种制作微电子组件的方法，包括：提供微电子元件，其具有第一表面和可在第一表面处触及的触点；在所述微电子元件的第一表面上提供柔顺性介电凸块；在所述柔顺性介电凸块和所述微电子元件的第一表面上沉积牺牲层，其中，所述牺牲层覆盖所述柔顺性介电凸块；研磨所述牺牲层和所述柔顺性介电凸块以便平面化所述柔顺性介电凸块的顶表面，其中，所述柔顺性介电凸块的平面化顶表面被暴露；在研磨步骤后，去除所述牺牲层，以暴露至少一些所述触点；以及形成导电迹线，其具有与所述触点电连接的第一端部和层叠于所述柔顺性介电凸块的平面化顶表面上的第二端部。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||