发明名称 溅射装置以及溅射方法
摘要 一种溅射装置以及溅射方法,在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下,能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备:基板保持架(22),其保持基板(21),使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转;基板磁场形成装置(30),其配置于基板(21)的周围,在基板(21)的处理面上形成磁场;阴极(41),其配置于基板(21)的斜上方,放电电力供给至该阴极(41);位置检测装置(23),其检测基板(21)的旋转位置;以及控制装置(50),其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。
申请公布号 CN102171379A 申请公布日期 2011.08.31
申请号 CN200980138730.5 申请日期 2009.09.29
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 北田亨;渡边直树;长井基将;末永真宽;金野武郎
分类号 C23C14/34(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种溅射装置,其特征在于,具备:基板保持架,其以使基板能够绕与基板的处理面垂直的旋转轴进行旋转的方式保持基板;基板磁场形成装置,其配置于上述基板的周围,能够与上述基板一起旋转或与上述基板同步地进行旋转,以在上述基板的处理面上形成磁场;阴极,其配置于与上述基板的倾斜相对的位置处,被供给放电电力;位置检测装置,其检测上述基板的旋转位置;以及控制装置,其根据上述位置检测装置检测到的上述基板的旋转位置来控制上述基板的旋转速度。
地址 日本神奈川县