射频MOS变容器的模拟方法

摘要

本发明公开了一种射频MOS变容器的模拟方法，建立一射频MOS变容器仿真模型，利用所述射频MOS变容器仿真模型对射频MOS变容器进行模拟，模拟射频MOS变容器的电容值随电压变化而变化的特性，所述射频MOS变容器仿真模型的拓扑结构中的可变电容的模型由同类型的MOS器件模型进行模拟，所述同类型的MOS器件模型，栅端是可变电容的一端，源漏并接作为可变电容的另一端，体端接地。本发明的射频MOS变容器的模拟方法，避免了仿真中出现不收敛的情况，同时实现了等比例缩放，有效的实现了模型的可扩展性，降低了射频MOS变容器建模的复杂程度，方便了射频集成电路的设计。

主权项

一种射频MOS变容器的模拟方法，建立一射频MOS变容器仿真模型，利用所述射频MOS变容器仿真模型对射频MOS变容器进行模拟，模拟射频MOS变容器的电容值随电压变化而变化的特性，其特征在于，所述射频MOS变容器仿真模型的拓扑结构中的可变电容的模型由同类型的MOS器件模型进行模拟，所述同类型的MOS器件模型，栅端是可变电容的一端，源漏并接作为可变电容的另一端，体端接地。