在{110}<100>取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件

摘要

公开了新型制品和制造新型制品的方法，得到柔性的、{110}<100>或45°旋转的{110}<100>取向的、基于半导体的电子器件。所得到的制品在光伏器件、平板显示器、热光伏器件、铁电器件、发光二极管器件、计算机硬盘驱动器器件、基于磁阻的器件、基于光致发光的器件、非易失性存储器器件、介电器件、热电器件和量子点激光器件的领域中有潜在的应用。

主权项

一种多晶电子器件，包括：a.柔性的、退火金属或合金衬底，其具有相应于{110}<100>的一次再结晶织构或二次再结晶织构，具有小于10度的织构的镶嵌或锐利度；b.在顶部缓冲层上的电子材料的至少一个外延层，所述电子材料的至少一个外延层选自包括但不限于基于以下的层的组：间接带隙半导体，例如Si、Ge、GaP；直接带隙半导体，例如CdTe、CuInGaSe2(CIGS)、GaAs、AlGaAs、GaInP和AlInP；多频带半导体，例如像Zn1‑yMnyOxTe1‑x的II‑O‑VI材料，以及III‑N‑V多频带半导体，例如GaNxAs1‑x‑yPy，及其组合，所述电子材料的至少一个外延层包括所述半导体层中的用于获得所需要的n型或p型半导体性质的其他材料的微量掺杂剂。