| 主权项 |
一种形成一记忆细胞的方法，其包含：形成具有一上表面之一下电极；形成包含一可程式电阻材料层之一管型构件，该管型构件具有一侧壁及一上表面，该侧壁具有一内表面及一外表面而该上表面与该侧壁相交，其中该管型构件的该侧壁外表面与该下电极的侧面垂直地对准，且在与该下电极的该上表面处具有大致相同的宽度；形成一电性绝缘材料于由该管型构件该侧壁内表面所定义之一内部中；以及形成与该管型构件相接之一上电极。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该形成一管型构件包含：形成具侧边之一接触窗于该下电极上的一填充层之中，该接触窗由从该填充层之一上表面延伸至该下电极之上表面；以及于该接触窗内形成一可程式电阻材料之共形层，该共形层包含该管型构件。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该形成一电性绝缘材料包含以该电性绝缘材料填充于该共形层上之该接触窗。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该电性绝缘材料具有一导热性小于0.014J/cm＊deg K＊sec。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该形成一下电极该以及形成一接触窗的步骤包含：于一端点上先形成该填充层；形成该接触窗穿透该填充层至该端点；在该接触窗内填满一导体，以形成一导电插塞；以及将部分该导体从该接触窗内移除，其中该接触窗内之该导电插塞之其余部分做为该下电极。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该部分移除包含以氟为主之反应性离子蚀刻制程对该导体进行回蚀刻。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该接触窗由该填充层之上表面至该下电极之上表面的一深度少于200nm。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该可程式电阻材料于该管型构件中的一厚度小于30nm。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该可程式电阻材料包含一硫属化物。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该可程式电阻材料具有至少二个可由一电流引发可逆之固态相。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该可程式电阻材料具有至少二个之固态相，包括一通常为非晶相及一通常为结晶相。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该可程式电阻材料包括Ge2Sb2Te5。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该可程式电阻材料包括二种或二种以上选自由锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)所组成之族群的材料组合。一种形成一记忆细胞之方法，该方法包含：于一端点上先形成一填充层，该填充层具有一上表面；形成一宽度少于100nm之接触窗，该接触窗自该填充层延伸至该终端，且该接触窗于该填充层中定义一开口及具有一接近一最小特征尺寸之宽度，以于微影制程中图形化该接触窗；在该接触窗内填满一导体，以形成一导电插塞；将部分该导体从该接触窗内移除，其中该接触窗内之该导电插塞之其余部分做为具有一上表面之一下电极；于该接触窗内形成一可程式电阻材料之共形层，该共形层与该下电极之上表面接触及沿着该接触窗侧边延伸至该填充层之上表面，其中该共形层于该接触窗之侧的一厚度小于30nm，及该可程式电阻材料矽以具有至少二个可由一电流引发可逆之固态相为特征，且该共形层于该接触窗之侧的一厚度与于该下电极的该上表面处具有大致相同的厚度；形成一电性绝缘材料于该接触窗内的该共形层之上；以及于该填充层上形成一与该共形层接触之上电极。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该可程式电阻材料包括Ge2Sb2Te5。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该可程式电阻材料包括二种或二种以上选自由锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)所组成之族群的材料组合。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该形成一电性绝缘材料包含以该电性绝缘材料填充于该共形层上之该接触窗。如申请专利范围第17项所述之方法，包含其中该电性绝缘材料具有一导热性小于0.014J/cm＊deg K＊sec。 |
