发明名称 双扫描线像素阵列基板
摘要 本发明提供一种双扫描线像素阵列基板,其包括基板、第一导电层、栅绝缘层、半导体层、第二导电层、保护层与透明电极层。第一导电层构成多个栅极与多条扫描线。栅绝缘层覆盖第一导电层。半导体层设置于栅绝缘层上,半导体层构成多个通道区、多条第一共用线以及多个电容电极,第一共用线与扫描线相交,并与电容电极连接。第二导电层设置于部分半导体层与栅绝缘层上,且构成多个源极、多个漏极与多条数据线,第一共用线与数据线平行。透明电极层通过保护层的各接触窗与各漏极电连接,透明电极层与保护层以及半导体层的各电容电极重叠而构成储存电容。
申请公布号 CN101770125A 申请公布日期 2010.07.07
申请号 CN201010000457.4 申请日期 2010.01.11
申请人 深超光电(深圳)有限公司 发明人 李俊谊;周秀峰
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 丁建春;陈华
主权项 一种双扫描线像素阵列基板,其特征在于:该双扫描线像素阵列基板包括:一基板;一第一导电层,设置于该基板上,且其构成多个栅极与多条扫描线;一栅绝缘层,覆盖于该第一导电层上;一半导体层,设置于该栅绝缘层上,该半导体层构成多个通道区、多条第一共用线以及多个电容电极,其中该通道区位于该栅极上,该第一共用线与该扫描线相交,且该第一共用线与该电容电极连接;一第二导电层,设置于部分该半导体层与该栅绝缘层上,该第二导电层构成多个源极、多个漏极以及多条数据线,其中各该源极与各该漏极位于各该通道区的两侧,该第一共用线与该数据线平行;一保护层,覆盖该栅绝缘层、该第二导电层以及该半导体层,其中该保护层在各该漏极上设有一接触窗;以及一透明电极层,设置于该保护层上,该透明电极层通过各该接触窗与各该漏极电连接,该透明电极层与该保护层以及该半导体层的各该电容电极重叠而构成一储存电容。
地址 518100广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路北深超光电科技园A栋首层