形成CMOS图像传感器、栅极侧墙及改善刻蚀不均匀的方法

摘要

一种形成栅极侧墙的方法，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述外围电路区和像素单元区的半导体衬底上有栅介电层和位于栅介电层上的栅极；在半导体衬底及栅极上形成衬氧层；在衬氧层上依次形成蚀刻阻挡层和顶盖层；刻蚀顶盖层和蚀刻阻挡层，在栅极两侧形成侧墙，所述衬氧层的厚度使得后外围电路区蚀刻阻挡层被刻蚀完时，像素单元区的半导体衬底上仍有衬氧层覆盖。本发明还提供一种形成CMOS图像传感器的方法和改善刻蚀不均匀的方法。本发明由于像素单元区的衬氧层不会被刻蚀掉，起到了保护半导体衬底的作用，进而降低了漏电流，提高了图像质量和成品率。

主权项

1.一种形成CMOS图像传感器的方法，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述外围电路区和像素单元区的半导体衬底上有栅介电层和位于栅介电层上的栅极；在半导体衬底及栅极上形成衬氧层；在衬氧层上依次形成蚀刻阻挡层和顶盖层；刻蚀顶盖层和蚀刻阻挡层，在栅极两侧形成侧墙；在栅极两侧的半导体衬底内形成源/漏极；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层内有贯穿介质层与漏极连通的导电插塞，且在介质层上有与导电插塞连接的金属线，其特征在于，所述衬氧层的厚度使得外围电路区蚀刻阻挡层被刻蚀完时，像素单元区的半导体衬底上仍有衬氧层覆盖。