| 摘要 |
<P>L'invention concerne un photodétecteur formé dans une zone active d'un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité, comportant un transistor MOS et une photodiode constituée de la jonction entre le substrat et une région d'un deuxième type de conductivité constituant aussi la source du transistor MOS, une couche du premier type de conductivité (7) fortement dopée recouvrant la région de source et une portion du substrat, ladite portion du substrat étant délimitée par une ouverture (12) de la région de source s'étendant de façon centrée à partir du côté de la région de source opposé à la région de canal du transistor, vers cette région de canal.</P>
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