发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括:一基座;一第一电极及与所述第一电极极性相反的第二电极,所述第一电极与第二电极均安装在所述基座上,所述发光二极管还包括至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片以及一封装体,所述封装体内局部掺杂有荧光物质,所述至少一第一芯片用于射出第一波长的光以激发所述荧光物质产生白光,所述至少一第二芯片用于射出第二波长的光以调节所述白光的色温,所述第二波长的范围为570~670纳米,所述至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片由所述第一电极与第二电极向其提供电能。 |
申请公布号 |
CN101373763A |
申请公布日期 |
2009.02.25 |
申请号 |
CN200710201469.1 |
申请日期 |
2007.08.24 |
申请人 |
富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
发明人 |
朱源发;江文章 |
分类号 |
H01L25/075(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/075(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.【权利要求1】一种发光二极管,其包括:一基座;一第一电极及与所述第一电极极性相反的第二电极,所述第一电极与第二电极均安装在所述基座上,其特征在于:所述发光二极管还包括至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片以及一封装体,所述封装体内局部掺杂有荧光物质,所述至少一第一芯片用于射出第一波长的光以激发所述荧光物质产生白光,所述至少一第二芯片用于射出第二波长的光以调节所述白光的色温,所述第二波长的范围为570~670纳米,所述至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片由所述第一电极与第二电极向其提供电能。 |
地址 |
201600上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |