发明名称 基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法
摘要 一种基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法,包括校准数据量测,使用一维图形数据校准光学模型,判断图形为一维图形还是二维图形,若为一维图形,则使用一维图形数据校准一维光刻胶模型,若为二维图形,则使用二维图形数据校准二维光刻胶模型,判断采样点仿真误差是否在设定的范围内,模型验证和模型输出,本发明将一维图形和二维图形分开处理,根据实际的图形使用相应的有效扩散长度,降低了校准误差,提高了校准的精度。
申请公布号 CN101349862A 申请公布日期 2009.01.21
申请号 CN200810041891.X 申请日期 2008.08.19
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 朱亮
分类号 G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F1/14(2006.01)
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 屈蘅
主权项 1.一种基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法,其特征在于包括:步骤S21:校准数据量测;步骤S22:使用一维图形数据校准光学模型;步骤S23:判断图形为一维图形还是二维图形,若为一维图形,则转入步骤S24,若为二维图形,则转入步骤S25;步骤S24:使用一维图形数据校准一维光刻胶模型,转入步骤S26;步骤S25:使用二维图形数据校准二维光刻胶模型,转入步骤S26;步骤S26:判断采样点仿真误差是否在设定的范围内,若在设定的范围内,则进行下一步骤,若不在,则转向步骤S22;步骤S27:模型验证;步骤S28:判断验证结果是否在设定的范围内,若在设定的范围内,则进行下一步骤,若不在,则转向步骤S22;步骤S29:模型输出。
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