| 主权项 |
1.一种单结晶拉引装置,在从坩锅所保持的熔融液 拉.起单结晶CZ炉内,为了防止熔融液的辐射热影响 拉起的单结晶而在拉起的方向上延伸设置热遮蔽 体,由坩锅所保持的原料熔解而形成熔融液之际, 载体气体从上述热遮蔽体的上方通过其内部而流 动,从坩锅下方排出的装置中,在上述熔解时使上 述热遮蔽体位于上方,而载体气体在坩锅上方不产 生对流,使得在上述炉内所产生的碳化合物气体与 上述载体气体一起排出。 2.一种单结晶拉引装置,在从坩锅所保持的熔融液 拉起单结晶CZ炉内,为了防止熔融液的辐射热影响 拉起的单结晶而在拉起的方向上延伸设置热遮蔽 体,由坩锅所保持的原料熔解而形成熔融液之际, 载体气体从上述热遮蔽体的上方通过其内部而流 动,从坩锅下方排出的装置中,上述热遮蔽体为可 升降,在上述熔解时,在使上述热遮蔽的上端接近CZ 炉的内壁的状态下而定位,使载体气体在坩锅上方 不产生对流,使得在上述炉内所产生的碳化合物气 体与上述载体气体一起排出。 3.一种单结晶拉引装置,在从坩锅所保持的熔融液 拉起单结晶CZ炉内,为了防止熔融液的辐射热影响 拉起的单结晶而在拉起的方向上延伸设置热遮蔽 体,由坩锅所保持的原料熔解而形成熔融液之际, 载体气体从上述热遮蔽体的上方通过其内部而流 动,从坩锅下方排出的装置中,上述热遮蔽体为可 升降,同时上述坩锅为可升降,在上述熔解时,在使 上述热遮蔽的上端接近CZ炉的内壁的状态下而定 位,同时上述坩锅的上端定位于比加热器上端还低 的位置上,使载体气体在坩锅上方不产生对流,使 得在上述炉内所产生的碳化合物气体与上述载体 气体一起排出。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之单结晶拉引 装置,其中,除了前述定位之控制以外,还控制前述 载体气体之流量。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之单结晶拉引 装置,其中,在前述单结晶拉引用室,设置可自由开 关之闸阀,至少在关闭前述闸阀之间中,进行前述 定位。 6.一种单结晶拉引方法,在从坩锅所保持的熔融液 拉起单结晶的CZ拉引方法中,为了防止熔融液的辐 射热影响拉起的单结晶而在拉起的方向上延伸设 置热遮蔽体,由坩锅所保持的原料熔解而形成熔融 液之际,载体气体从上述热遮蔽体的上方通过其内 部而流动,从坩锅下方排出的装置中,上述热遮蔽 体为可升降,同时上述坩锅为可升降,在上述熔解 时,在使上述热遮蔽的上端接近CZ炉的内壁的状态 下而定位,同时上述坩锅的上端定位于比加热器上 端还低的位置上,使载体气体在坩锅上方不产生对 流,使得在上述炉内所产生的碳化合物气体与上述 载体气体一起排出。 图式简单说明: 图1系显示实施形态之装置构造之侧视图。 图2系热遮蔽体之立体图。 图3系显示将热遮蔽体予以升降之机构之图。 图4系显示实施形态之气体流动之图。 图5系显示习知之气体流动之图。 图6系显示在成为水准之定位时之气体流动之图 。 图7系显示在成为水准之定位时之气体流动之图 。 图8系显示在成为水准之定位时之气体流动之图 。 图9系显示在成为水准之定位时之气体流动之图 。 图10系显示在成为水准之定位时之气体流动之 图。 图11系显示在成为水准之定位时之气体流动之 图。 图12系对应于图6-图11之各个水准-而显示热遮 蔽体之位置、坩埚位置和碳浓度之低顺位((1)-(6)) 之表。 图13系显示气体流量、坩埚位置和碳浓度间之关 系之表。 |
