| 发明名称 | 制造具有减小的像素串扰的图像传感器设备的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造图像传感器设备(5)的方法，该图像传感器设备将辐射(1)的强度转换为取决于所述光强度的电流(i1，i2)，其包括在真空沉积设备中的下述步骤：在介电的绝缘表面上沉积导电衬垫(7a，7b)的矩阵作为背面电接触，等离子体辅助暴露所述带有衬垫的表面给不加入包含硅的气体的施主供给气体，沉积来自硅供给气体的本征硅层(15)，沉积掺杂层(17)并布置对于所述辐射(1)为透明的导电层(19)作为前面接触。所述制造图像传感器设备的方法和所述图像传感器设备避免了现有技术的缺点。这意味着本发明的图像传感器设备具有良好的欧姆接触，低的暗电流，没有像素串扰以及可再现的制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101128933A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200680006212.4 | 申请日期 | 2006.02.22 |
| 申请人 | OC欧瑞康巴尔斯公司 | 发明人 | J·－B·彻夫里尔;O·萨拉斯卡;E·特洛特 |
| 分类号 | H01L27/142(2006.01);H01L27/148(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L31/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/142(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;魏军 |
| 主权项 | 1.一种制造图像传感器设备(5)的方法，该图像传感器设备将辐射(1)的强度转换为取决于所述光强度的电流(i1，i2)，其包括在真空沉积设备中的下述步骤：在介电的绝缘表面上沉积导电衬垫(7a，7b)的矩阵作为背面电接触，等离子体辅助暴露所述具有衬垫的表面至不加入包含硅的气体的施主供给气体，沉积来自硅供给气体的本征硅层(15)，沉积掺杂层(17)，和布置对于所述辐射(1)为透明的导电层(19)作为前面接触。 | ||
| 地址 | 列支敦士登巴尔策斯 | ||