| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines in einer Prozesskammer (12) eines CVD-Reaktors von einem Substrathalterträger (1) auf einem von einem Gasstrom gebildeten dynamischen Gaspolster (8) getragenen Substrathalter (2) aufliegenden Substrats (9), wobei die Wärmezufuhr zum Substrat (9) zumindest teilweise durch Wärmeleitung über das Gaspolster erfolgt. Um die lateralen Abweichungen der Oberflächentemperatur eines Substrats von einem Mittelwert zu vermindern, wird vorgeschlagen, dass der das Gaspolster (8) ausbildende Gasstrom von zwei oder mehr Gasen (17, 18) mit unterschiedlich hoher spezifischer Wärmeleitfähigkeit gebildet wird und die Zusammensetzung abhängig von einer gemessenen Substrattemperatur variiert wird.
|
