薄膜电晶体及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜电晶体，其包括一基底、一源极、一汲极、一通道区域、一闸极绝缘层、一钝化层及一闸极，该源极、汲极及通道区域形成于该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及汲极之间，该闸极绝缘层形成于该通道区域上，该钝化层形成于该源极、汲极及通道区域上，且位于该闸极绝缘层两侧，该钝化层介电常数小于闸极绝缘层介电常数，该闸极形成于该闸极绝缘层及部份钝化层上，且与该通道区域对应。该薄膜电晶体漏电流较小、可靠性高。本发明还提供该薄膜电晶体之制造方法。