发明名称 | 具有双重扩散式源极区域之横向双重扩散式金氧半导体电晶体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种横向双重扩散式金氧半导体电晶体包括基材、第一井区、汲极区、第二井区以及源极区。基材具有第一导电型掺质,具有第二导电型掺质之第一井区,位于部分之基材中。汲极区位于第一井区中。具有第一导电型掺质之第二井区,位于部分基材中。源极区位于第二井区中,源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区,皆由基材之上表面向下延伸,轻掺杂源极区之深度系大于重掺杂源极区。 | ||
申请公布号 | TW200719475 | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
申请号 | TW094139008 | 申请日期 | 2005.11.07 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林正基;苏醒;朱建文;连士进;叶清本 |
分类号 | H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |