| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置 | ||
| 摘要 | 用于制造半导体器件的方法包括步骤：在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4)；在主表面上和沟槽(4)中形成第一外延膜(20)；以及在第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)。形成第一外延膜(20)的步骤具有第一外延膜(20)的第一生长速度的第一工艺条件。形成第二外延膜(21)的步骤具有第二外延膜(21)的第二生长速度的第二工艺条件。第二生长速度比第一生长速度大。 | ||
| 申请公布号 | CN1949461A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200610140367.9 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 株式会社电装;株式会社上睦可 | 发明人 | 柴田巧;山内庄一;山冈智则;野上彰二 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4)；通过使用硅源气体和卤化物气体的混合气体，在该硅衬底(1)的主表面上和该沟槽(4)中形成第一外延膜(20)，从而用该第一外延膜(20)填充该沟槽(4)；以及通过使用硅源气体和卤化物气体的另一混合气体，在该第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)，其中形成该第一外延膜(20)的步骤具有以第一生长速度在该硅衬底(1)的主表面上生长该第一外延膜(20)的第一工艺条件，形成该第二外延膜(21)的步骤具有以第二生长速度在该硅衬底(1)的主表面上生长该第二外延膜(21)的第二工艺条件，并且该第二外延膜(21)的第二生长速度比该第一外延膜(20)的第一生长速度大。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||