| 发明名称 | 非易失性存储单元和制造非易失性存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造堆叠式非易失性存储单元的方法。并且，本发明涉及一种堆叠式非易失性存储单元。本发明特别涉及具有非易失性堆叠式存储单元的非易失性NAND存储器的领域。堆叠式非易失性存储单元形成在半导体晶片上，并且设置为体FinFET晶体管和设置在体FinFET晶体管顶上的SOI FinFET晶体管，所述晶片具有体半导电衬底和SOI半导电层。FinFET晶体管和SOI FinFET晶体管都附于公共电荷俘获层。具有侧壁的字线设置在所述图形化的电荷俘获层的顶部，隔离物氧化物层设置在所述字线的侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN1901232A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200610125782.7 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | F·霍夫曼;M·施佩希特;J·卢伊肯 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1、一种存储单元装置，包括：鳍结构，包括：在第一方向上的第一沟道区；在第一方向上设置在第一沟道区上的绝缘层；在第一方向上设置在绝缘层上的第二沟道区；在第二方向上设置在鳍结构上的电荷存储层结构，第二方向不同于第一方向；和在第二方向上设置在电荷存储层结构上的控制栅极。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||