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发明名称
半导体装置之内电压产生电路
摘要
揭露一种半导体装置之内电压产生电路。该内电压产生电路包括一参考电压产生器,用以产生一依据该半导体装置之操作模式而具有不同位准的参考电压;一启动电压产生器,用以产生一具有根据该参考电压而定之位准的启动内电压;一待机电压产生器,用以产生一具有根据该参考电压而定之位准的待机内电压;以及一启动电压产生控制器,用以控制该启动电压产生器,以便该启动电压产生器在一自我更新模式完成后之一特定期间中输出该启动内电压。
申请公布号
TW200700952
申请公布日期
2007.01.01
申请号
TW095100578
申请日期
2006.01.06
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
阵承彦
分类号
G05F1/56(2006.01)
主分类号
G05F1/56(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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