发明名称 氮化镓薄膜材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种氮化镓薄膜材料的制备方法。它包括分子束外延法和氢化物气相外延法,特别是完成步骤为:1)使用分子束外延法在蓝宝石衬底上依次分别生长出氮化铝膜和具有混合极性的氮化镓膜;2)先将其上覆有氮化铝膜和氮化镓膜的蓝宝石衬底置于碱性溶液中腐蚀,再将其用水冲洗并干燥,获得坯料;3)使用氢化物气相外延法于坯料上生长氮化镓膜,从而制得氮化镓薄膜材料。该制备方法既可于低价格的蓝宝石上生长出氮化镓膜,克服蓝宝石晶格与氮化镓间的匹配较差的难题,又避免了仅使用分子束外延法或金属有机物气相外延法所带来的缺陷,还使得能大尺寸地整体生长低位错密度的厚氮化镓膜;同时,方法简便,生产效率高、成本低,适于工业化生产。
申请公布号 CN1865192A 申请公布日期 2006.11.22
申请号 CN200510040096.5 申请日期 2005.05.16
申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明人 解新建;王玉琦;钟飞;姬长建;尹志军;邱凯;李新化
分类号 C04B41/00(2006.01);C04B41/45(2006.01);C04B41/50(2006.01) 主分类号 C04B41/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种氮化镓薄膜材料的制备方法,包括分子束外延法和氢化物气相外延法,其特征在于是按以下步骤完成的:1.1、使用分子束外延法在蓝宝石衬底上依次分别生长出氮化铝膜和具有混合极性的氮化镓膜;1.2、先将其上覆有氮化铝膜和氮化镓膜的蓝宝石衬底置于碱性溶液中腐蚀,再将其用水冲洗并干燥,获得坯料;1.3、使用氢化物气相外延法于坯料上生长氮化镓膜,从而制得氮化镓薄膜材料。
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