| 摘要 |
用于记忆体电路的增益胞，而记忆体电路是由数个增益胞形成，以及制造这类增益胞与记忆体电路的方法。此记忆体增益胞包含一储存电容、一写入装置系电性耦接储存电容以充电与放电储存电容而定义已储存电荷、以及一读取装置。读取装置包含一或多个半导体化奈米碳管，每个半导体化奈米碳管介于一源极与一汲极间电性耦接。每个半导体化奈米碳管的部份系藉由读取闸极与储存电容所闸控，以便管制穿过每个半导体化奈米碳管由该源极流向该汲极的电流。该电流系正比于储存在储存电容的电荷。在特定实施例中，记忆体增益胞可包含数个储存电容。 |
