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Es wird eine MRAM (1) mit einem Substrat (16), auf/über dem eine Anzahl von Wortleitungen (RWL), eine Anzahl von Bitleitungen (BL), eine Anzahl von Speicherzellen (5) und eine Anzahl vertikaler Zugriffselemente (17) vorhanden sind, angegeben; wobei jede Speicherzelle einen widerstandsbehafteten Schnittpunkt einer Wortleitung und einer Bitleitung bildet und wobei jede Speicherzelle in solcher Weise mit einem vertikalen Zugriffselement verbunden ist, dass von einer Wortleitung zu einer Bitleitung über die entsprechende Speicherzelle ein leitender Pfad gebildet wird. DOLLAR A Das Substrat, zumindest ein Teil der Wortleitungen (RWL) oder zumindest ein Teil der Bitleitungen (BL) und zumindest ein Teil der vertikalen Zugriffselemente sind als gemeinsamer, einkristalliner Halbleiterblock ausgebildet.
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