制造薄膜集成电路和元件衬底的方法

摘要

对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。

主权项

1.一种用于制造薄膜集成电路的方法，包括以下步骤：在绝缘衬底上形成包括金属的金属膜；形成包括金属的化合物的金属化合物层，所述化合物选自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的组；在所述金属化合物层上形成多个薄膜集成电路；在多个薄膜集成电路之间形成沟槽以暴露所述金属化合物层的一部分；把具有至少一个开口的衬底粘贴到该多个薄膜集成电路上；和通过把包括氟化卤的蚀刻材料引入到所述开口中，去除所述金属膜和所述金属化合物层，从而分离绝缘衬底，同时该多个薄膜集成电路通过该衬底彼此固定。