| 主权项 |
1.一种半导体封装,其特征为具有:半导体基板(1), 其在一面上具有装置区(2)且同时具有一种连接至 该装置区(2)之连接垫(3);一支持基板(9),其设在该 半导体基板(1)之一面侧;一外部基板(12),其设在该 半导体基板(1)之另一面侧;一种连接装置(7,11),其 一部份由该半导体基板(1)之周围延伸而出且使该 连接垫(3)与该外部电极(12)在电性上相连接。 2.如申请专利范围第1项之半导体封装,其中使该连 接垫(3)与该外部电极(12)在电性上相连接所用之连 接装置(7,11)含有由该半导体基板(1)之另一面侧延 伸而出之再配线(11)。 3.如申请专利范围第1项之半导体封装,其中该连接 装置(7,11)具有一种连接用配线(7),其一端部连接至 该连接垫(3)且另一端部由该半导体基板(1)之周围 延伸而出。 4.如申请专利范围第3项之半导体封装,其中该连接 用配线(7)含有由电镀所形成之金属层(7b)。 5.如申请专利范围第3项之半导体封装,其中该连接 用配线(7)含有一密接至该半导体基板(1)之一面之 部份。 6.如申请专利范围第3项之半导体封装,其中该连接 用配线(7)密接于该支持基板(9)而形成。 7.如申请专利范围第3项之半导体封装,其中该连接 垫(3)和该连接用配线(7,11)之间具有凸起状之连接 电极(31)。 8.如申请专利范围第3项之半导体封装,其中含有该 由半导体基板(1)之周围延伸而出之连接用配线(7, 11)之该半导体基板(1)之另一面和该再配线(11)之间 设有该绝缘膜(6)。 9.如申请专利范围第2项之半导体封装,其中该连接 装置(7,11)具有:该连接用配线(7),其设在该支持基 板(9)之与该半导体基板(1)相面对之面上且其一端 部连接至该连接垫(3),另一端部由该半导体基板(1) 之周围延伸而出;柱状电极(33),其设在该连接用配 线(7)之另一端部上,该再配线(11)连接至该柱状电 极(33)。 10.如申请专利范围第9项之半导体封装,其中含有 该柱状电极(33)和该连接用配线(7)(其由该半导体 基板(1)之周围延伸而出)之该半导体基板(1)之另一 面与该再配线(11)之间设有该绝缘膜(6)。 11.如申请专利范围第2项之半导体封装,其中该再 配线(11)之连接垫部上设有该外部电极(12),除去该 外部电极(12),设置一绝缘膜(13)使含有该再配线(11) 之该半导体基板(1)之另一面侧被覆盖。 12.如申请专利范围第11项之半导体封装,其中该外 部电极(12)是柱状的,该柱状之外部电极(12)上设有 焊接球(14)。 13.如申请专利范围第1项之半导体封装,其中该装 置区(2)是光电变换装置区。 14.如申请专利范围第1项之半导体封装,其中该支 持基板(9)是玻璃基板。 15.如申请专利范围第14项之半导体封装,其中该半 导体基板(1)和玻璃基板(9)之间设有透明接着层(8) 或透明封止膜。 16.一种半导体封装之制造方法,其特征为具备以下 之过程: 形成过程,晶圆状态之半导体基板(1)之一面上具有 多个装置区(2)且同时具有多个分别连接至各装置 区(2)之连接垫(3),在该半导体基板(1)之一面上使多 个连接用配线(7)连接至其一端部所对应之该连接 垫(3)且由另一端部所对应之连接垫(3)之外侧延伸 而出, 配置过程,含有多个连接用配线(7)之该半导体基板 (1)之一面上配置该支持基板(9), 露出过程,在该装置区(2)间至少使该多条连接用配 线(7)之另一端部所对应之部份中之该半导体基板( 1)被除去而露出该多条连接用配线(7)之另一端部, 形成过程,其形成该外部电极(12),该外部电极(12)在 电性上连接至各连接用配线(3), 得到过程,其中使装置区(2)间之该支持基板(1)被切 断,以得到多个半导体封装,半导体封装之半导体 基板(1)具有该外部电极(12)。 17.如申请专利范围第16项之制造方法,其中在该装 置区(2)间至少该多个连接用配线(3)之另一端部所 对应之部份之该半导体基板(1)被去除之前,对该半 导体基板(1)之另一面进行研磨,使该半导体基板(1) 薄型化。 18.一种半导体封装之制造方法,其特征为具备以下 之过程: 形成过程,在该支持基板(9)之一面上形成该设在连 接用配线(7)和该连接用配线(7)上之柱状电极(33), 连接过程,使该半导体基板(1)配置在该支持基板(9) 上,该半导体基板(1)在与该支持基板(9)的相对面上 具有装置区(2)且在该装置区(2)之周围具有该连接 电极(3),各半导体基板(1)之连接电极(3)连接至相对 应之支持基板(9)上所形成之各连接用配线(7), 另一形成过程,其形成该外部电极(12),该外部电极( 12)在电性上连接至各柱状电极(33)。 19.如申请专利范围第18项之制造方法,其中具有一 种露出过程,在该半导体基板(1)配置在该支持基板 (9)上之后,形成该绝缘膜(34),使含有该柱状电极(33) 之半导体基板(1)之另一面被覆盖,对该绝缘膜(34) 之表面侧和该半导体基板(1)之另一面进行研磨,使 该半导体基板(1)薄型化,同时使该柱状电极(33)之 上面露出。 20.如申请专利范围第16项之制造方法,其中该外部 电极(12)形成该由半导体基板(1)之另一面侧延伸而 出之再配线(11)且在该再配线(11)上形成。 21.如申请专利范围第20项之制造方法,其中具有:形 成过程,其在该再配线(11)之连接垫部上形成该外 部电极(12);另一形成过程,将该外部电极(12)去除, 形成该绝缘膜(13),使含有该再配线(11)之半导体基 板(1)之另一面侧被覆盖。 22.如申请专利范围第21项之制造方法,其中该外部 电极(12)上形成一种焊接球(14)。 23.如申请专利范围第16项之制造方法,其中该装置 区(2)是光电变换装置区。 24.如申请专利范围第16项之制造方法,其中该支持 基板(9)是玻璃基板。 25.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该半导 体基板(1)与该玻璃基板(9)之间形成透明接着层(8) 或透明封止膜。 26.一种半导体封装之制造方法,其特征为具备以下 之过程: 形成过程,半导体基板(1)之一面上具有装置区(2)和 多个连接垫(3),在该半导体基板(1)之一面上使多个 连接用配线(7)连接至其一端部所对应之该连接垫( 3)且由另一端部所对应之连接垫(3)之外侧延伸而 出, 配置过程,使含有多个连接用配线(7)之半导体基板 (1)之一之面配置在该支持基板(9)上, 露出过程,在该装置区(2)间至少使该多条连接用配 线(7)之另一端部所对应之部份中之该半导体基板( 1)被除去而露出该多条连接用配线(7)之另一端部, 另一形成过程,其形成该外部电极(12),该外部电极( 12)在电性上连接至各连接用配线(3)之另一端部。 27.如申请专利范围第26项之制造方法,其中该支持 基板(9)是透明构件。 28.如申请专利范围第26项之制造方法,其中该装置 区(2)是光电变换装置区。 图式简单说明: 第1图 本发明之第1实施形式之半导体封装之切面 图。 第2图 系第1图所示之半导体封装之制造方法之一 例中当初所预备之物件之切面图。 第3图 接续第2图之制造过程之切面图。 第4图 接续第3图之制造过程之切面图。 第5图 接续第4图之制造过程之切面图。 第6图 接续第5图之制造过程之切面图。 第7图 接续第6图之制造过程之切面图。 第8图 接续第7图之制造过程之切面图。 第9图 接续第8图之制造过程之切面图。 第10图 接续第9图之制造过程之切面图。 第11图 接续第10图之制造过程之切面图。 第12图 接续第11图之制造过程之切面图。 第13图 接续第12图之制造过程之切面图。 第14图 接续第13图之制造过程之切面图。 第15图 接续第14图之制造过程之切面图。 第16图 本发明之第2实施形式之半导体封装之切面 图。 第17图 系第16图所示之半导体封装之制造方法之 一例中当初之制造过程之切面图。 第18图 接续第17图之制造过程之切面图。 第19图 接续第18图之制造过程之切面图。 第20图 接续第19图之制造过程之切面图。 第21图 接续第20图之制造过程之切面图。 第22图 接续第21图之制造过程之切面图。 第23图 接续第22图之制造过程之切面图。 第24图 本发明之其它实施形式之半导体封装之切 面图。 |
