| 主权项 |
1.一种被验化合物中的配位体或拟配位体低分子 化合之检测方法,其特征为,将导入配位体受体基 因以及耐抗生素基因之配位体依赖性细胞株,于对 应耐抗生素物质基因的抗生物质存在下,与其他细 胞株分离,将此培养于被验化合物及还原剂存在下 ,对其细胞的增殖能作调查者。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中还原剂为2-氢 硫乙醇或-硫甘油。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中导入配位体受 体基因以及耐抗生素基因之配位体依赖性细胞株 的培养,系于被验化合物、还原剂以及间白素3的 存在下进行。 4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类颗粒球群体刺激因子 受体基因,被验化合物中的配位体或拟配位体低分 子化合物为人类颗粒群体刺激因子或可取代其之 低分子化合物。 5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类间白素10受体基因,被 验化合物中的配位体或拟配位体低分子化合物为 人类间白素10或代替其之低分子化合物。 6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类红血球生成素受体基 因,被验化合物中的配位体或拟配位体低分子化合 物为人类红血球生成素或可取代其之低分子化合 物。 7.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类血小板生成素受体基 因,被验化合物中的配位体或拟配位体低分子化合 物为人类血小板生成素或可取代其之低分子化合 物。 8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类胰岛素受体基因,被验 化合物中的配位体或拟配位体低分子化合物为人 类胰岛素或可取代其之低分子化合物。 9.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中配位体受体基因为人类神经成长因子受体基 因,被验化合物中的配位体或拟配位体低分子化合 物为人类神经成长因子或可取代其之低分子化合 物。 10.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中耐抗生素基因为,对具有蛋白质合成阻断作用 之抗生素具有抵抗性之基因。 11.如申请专利范围第1项或第3项中任一项之方法, 其中耐抗生素基因为嘌呤霉素耐性基因、潮霉素 耐性基因或新霉素耐性基因。 12.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之方法, 其中细胞株的增殖能,由细胞株中使发色基质,与 电子载体起作用而测定者。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中发色基质为 双偶氮盐类,电子载体为吩甲基硫酸盐系的电子 载体。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中发色基质为 WST-1,电子载体为1-甲氧基PMS。 图式简单说明: 图1表示实施例1中对培养基中的hG-CSF浓度,与导入 hG-CSF受体基因的细胞株增殖程度之关系作调查结 果图。 图2表示实施例2中对培养基中的hIL-10浓度,与导入 hIL-10受体基因的细胞株增殖程度之关系作调查结 果图。 图3表示对G-CSF对依赖性细胞株增殖之还原剂的影 响。 图4表示对G-CSF对依赖性细胞株增殖之IL-3的影响。 图5表示对拟G-CSF低分子物质的G-CSF依赖性细胞株 增殖之还原剂与IL-3的影响。 图6表示对IL-10依赖性细胞株增殖之还原剂的影响 。 图7表示对IL-10依赖性细胞株增殖之IL-3的影响。 图8表示实施例8中培养基中的hEPO浓度,与导入hEPO 受体基因的细胞株增殖程度之关系调查结果图。 图9表示对EPO依赖性细胞株增殖之还原剂的影响。 图10表示对EPO依赖性细胞株增殖之IL-3的影响。 |
