半导体装置

摘要

在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。

主权项

1、一种半导体装置，是在第1导电型半导体区域上备有输出焊盘、与所述输出焊盘连接的驱动元件、用于在浪涌中保护所述驱动元件的浪涌吸收部的半导体装置，其特征在于，所述浪涌吸收部备有：在所述第1导电型半导体区域上形成的第2导电型岛状半导体区域；在所述第2导电型岛状半导体区域的底部与所述第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；形成在所述第2导电型岛状半导体区域上且连接在与所述第1导电型半导体区域相同电位的第1导电型杂质层；形成在所述第1导电型杂质层上且与所述输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；和在所述第2导电型岛状半导体区域上，以包围所述第1导电型杂质层并且到达所述第2导电型埋入层的方式形成的环状第2导电型层，所述环状第2导电型层连接在规定的电位并且含有比所述第2导电型岛状半导体区域的浓度还高的第2导电型杂质。