采用改进的化学气相沉积制备大容量光纤预制件的方法

摘要

本发明涉及一种利用化学气相沉积法(CVD)制备大容量低费用光纤预制件的方法。更具体地说，所述的这种制备光纤预制件(3)的方法包括制备二氧化硅沉积管(22)的步骤，其中掺杂了可得到低于100ppb OH基浓度的足够量的氯并且掺杂了与足够量氯的剂量成比例的一定量的氟以便得到低于天然二氧化硅的折射率，在沉积管内沉积内包层(21)及沉积光芯(20)，按初始(原)预制件(24)缩径沉积管以及在所得到的初始预制件上沉积所述天然二氧化硅材料的外包层(26)。在制备光纤方面的应用。

主权项

1.一种制备光纤预制件(3)的方法，它包括以下几个工艺步骤：-制备二氧化硅沉积管(22)，此二氧化硅掺杂了足够量的氯以便得到低于100ppb的OH基浓度，还掺杂了一定量的氟，其中掺杂氟的总份数XF与掺杂氯的总份数XCl满足0.25XCl＜XF＜4XCl，以便得到低于天然二氧化硅的折射率；-在沉积管内部沉积内包层(21)及光芯(20)；-使沉积管缩径成初始预制件(24)；以及-在制得的初始预制件上沉积所述天然二氧化硅的外包层(26)。