可随机编程的非挥发半导体存储器

摘要

本发明提供一种可进行随机编程(random programming)的非挥发半导体存储器。该非挥发半导体存储器包括有一具有一存储器区的第一导电型半导体基底，一设于该存储器区内的该半导体基底中的第二导电型深离子井，及一设于该深离子井内且由设于该存储器区与一非存储器区之间的该半导体基底中的一浅沟绝缘层(STI layer)所隔离的第一导电型浅离子井(shallow well)。并且，于该浅离子井内的该半导体基底上设有多个NAND存储串区块(NAND cell block)，而在该半导体基底上方设有一位线，其用来藉由一延伸至该浅离子井中的插塞(plug)，于一编程模式下提供该浅离子井一第一预定电压，而于一擦除模式下提供该浅离子井一第二预定电压。

主权项

1.一种非挥发半导体存储器，可进行随机编程，该非挥发半导体存储器包括：一第一导电型半导体基底，具有一存储器区；一第二导电型深离子井，设于该存储器区内的该半导体基底中；一第一导电型浅离子井，设于该深离子井内，且由一设于该存储器区与一非存储器区之间的该半导体基底中的浅沟绝缘层所隔离；至少一NAND存储串区块，设于该浅离子井内的该半导体基底上；以及一位线，设于该半导体基底上方，用来藉由一延伸至该浅离子井中的插塞，于一编程模式下提供该浅离子井一第一预定电压，而于一擦除模式下提供该浅离子井一第二预定电压。