| 摘要 |
本发明系揭露一种测量电容的结构与方法，包含一第一埋入掺质区与一重掺杂区位于一底材中，此重掺杂区平行埋入掺质区；若干第二埋入掺质区、第一与第二氧化层于半导体底材中；任一第二埋入掺质区垂直第一埋入掺质区，一端连接至第一埋入掺质区、另一端连接至重掺杂区。任一第一氧化层重叠并位于第二埋入掺质区上方。任一第二氧化层介于任二第一氧化层之间，且第二氧化层的厚度较第一氧化层的厚度薄。至少二个第一与若干第二多晶矽列位于底材上。其中二个第一多晶矽列分别位于第二埋入掺质区的两侧。每一第二多晶矽列垂直并位于第一多晶矽列之间，且每一第二多晶矽列之一端不连接至二个第一多晶矽列。应用此一结构可测量得到与字元线有关之个别电容值。 |
