| 发明名称 | 硅化金属栅极晶体管的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造具有金属栅极结构的场效应管(FET)的结构和方法。金属栅极结构在先前牺牲栅极占据的电介质区的孔中形成。金属栅极结构包括接触衬底半导体区上形成的栅电介质的第一层。第一层包括从金属和金属化合物组成的组中选择的材料。栅极还包括在第一层上形成的硅化物。FET还包括在栅极相对侧形成的源区和漏区，源区和漏区在形成栅极的第一层后进行硅化。 | ||
| 申请公布号 | CN1627486A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200410076817.3 | 申请日期 | 2004.09.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布鲁斯·B·多丽丝;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/772;H01L29/786;H01L21/8234;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/335 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种制造具有金属栅极结构的场效应管(FET)的方法，包括：在先前由牺牲栅极占据的电介质区的孔中形成金属栅极结构，该金属栅极结构包括：第一层，所述第一层包括从金属和金属化合物组成的材料组中选出的一种或多种材料，所述第一层接触栅电介质，所述栅电介质接触衬底的半导体区中形成的晶体管沟道区；以及在所述第一层上面的上层硅化物层；以及在所述金属栅极结构的相对侧形成的源区和漏区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||