| 发明名称 |
A METHOD FOR FORMING SELECTIVE SILICIDE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR20050053932(A) |
申请公布日期 |
2005.06.10 |
| 申请号 |
KR20030087185 |
申请日期 |
2003.12.03 |
| 申请人 |
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KIM, SEOK SU |
| 分类号 |
H01L21/24;(IPC1-7):H01L21/24 |
主分类号 |
H01L21/24 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
