一种消除MOCVD TiN膜应力及电阻的低温退火工艺

摘要

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种MOCVD TiN膜的退火工艺，以消除TiN膜的应力，降低薄膜电阻。相对于PVD技术，MOCVD TiN有优良的台阶覆盖性，但也有明显的缺点，主要是薄膜中含有较高的C、O等杂质，可达20％，薄膜质地较为疏松，当暴露在空气中时，由于O₂、CO₂等气体会迅速扩散入膜的表层，造成薄膜电阻随时间增加。本发明通过对MOCVD TiN膜的后退火处理，使薄膜产生重结晶和热回流，变得较为致密，平整度改善；并依靠N₂/H₂等气体去除TiN膜中的C、O等杂质，从而起到消除TiN膜应力，降低薄膜电阻，使膜质更为稳定。

主权项

1、一种用氮气对MOCVD TiN膜进行后退火处理的工艺，其特征是：上述退火用气体为N2和H2混合气体。