| 发明名称 | 薄膜电容器、薄膜电容器阵列及电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明是电极电阻小、Q值大、依次形成的薄膜的层数少的薄膜电容器。有益于元件的小型集成化，能够抑制特性不良及可靠性下降。在支承基板(1)上，将多个下部电极(2)朝高频信号传输方向(P)隔开间隔设置，在所述多个下部电极(2)中的1个下部电极(2)上，夹着薄膜介质层(4)朝高频信号传输方向P隔开间隔设置2个上部电极(5)，从而形成2个电容元件。用引出电极(8)连接所述上部电极(5)，以便使这2个电容元件串联。在所述2个上部电极(5)之间的沿高频信号传输方向(P)的最大间隔(L1)，小于所述上部电极(5)的对高频信号传输方向而言，在俯视图中正交方向的最小长度(W1)。 | ||
| 申请公布号 | CN1601674A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410011980.1 | 申请日期 | 2004.09.27 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 草部和宏 |
| 分类号 | H01G7/06 | 主分类号 | H01G7/06 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1、一种薄膜电容器，在输入端子和输出端子之间，电容元件被连接，其特征在于，包括：在支承基板上隔开间隔设置的多个下部电极；在所述下部电极中的至少1个下部电极上，介有薄膜介质地形成的2个上部电极；以及分别连接所述2个上部电极的引出电极，在所述下部电极上形成的2个所述上部电极之间的、沿着高频信号传输方向的间隔，小于所述上部电极与所述引出电极在俯视图中互相重合的区域的、沿着与高频信号传输方向正交的方向的长度。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||