发明名称 | 高纯铝的真空连续提纯净化方法 | ||
摘要 | 高纯铝的真空连续提纯净化方法属于铸造领域。方法具体如下:对提纯炉体抽真空,利用提纯炉和电解槽之间的空气压力差,经管路和截止阀将铝液导入到炉体内的提纯坩埚中,提纯坩埚底部为结晶凝固装置,其冷却系统由液态金属和冷却水共同完成;在500k-700k/cm温度梯度下,晶体以胞状晶平界面生长,生长速度范围在0.5cm-10cm/h之间;生长一段时间后,对废液回收炉抽真空,对提纯炉体充入一定量的保护气体,在回收炉与提纯炉之间产生压力差;每隔0.5-3h,利用压力差通过吸液管把富集杂质元素的液层从界面前沿吸到废液回收炉中,固液界面前沿的熔体浓度回到原始浓度。本发明制备出的高纯铝锭在整个锭的长度中质量保持稳定,可以减少甚至不用截去末端,生产效率大大提高。 | ||
申请公布号 | CN1168839C | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
申请号 | CN02111339.4 | 申请日期 | 2002.04.12 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张佼;孙宝德;丁文江 |
分类号 | C22B21/06;C22B9/04 | 主分类号 | C22B21/06 |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟 |
主权项 | 1、一种高纯铝的真空连续提纯净化方法,其特征在于方法具体如下:(1)对提纯炉体抽真空,利用提纯炉和电解槽之间的空气压力差,经管路和截止阀将铝液导入到炉体内的提纯坩埚中,提纯坩埚底部为结晶凝固装置,其冷却系统由液态金属和冷却水共同完成;(2)在500k-700k/cm温度梯度下,晶体以胞状晶平界面生长,生长速度范围在0.5cm-10cm/h之间;(3)生长一段时间后,对废液回收炉抽真空,对提纯炉体充入一定量的保护气体,在回收炉与提纯炉之间产生压力差;(4)每隔0.5-3h,利用压力差通过吸液管把富集杂质元素的液层从界面前沿吸到废液回收炉中,固液界面前沿的熔体浓度回到原始浓度。 | ||
地址 | 200030上海市华山路1954号 |