半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供能够防止在栅极电极的弯曲部分连半导体层也被刻蚀的半导体装置。半导体装置包含支持基板3、以及设置在支持基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜4。在元件区内的支持基板上设置第1栅极绝缘膜11、以及具有比第1栅极绝缘膜要厚的厚度的第2栅极绝缘膜12。栅极电极G具有在第1栅极绝缘膜上沿第1方向延伸的第1部分Ga、以及从第1部分起沿与第1方向不同的第2方向沿伸的第2部分Gb。形成第1部分与第2部分的内角的部分设置在第2栅极绝缘膜上。源极/漏极扩散层S与D形成在支持基板内，将栅极电极的第1部分的下方沟道区夹在当中。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括支持基板，设置在所述基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的第1栅极绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的、具有比所述第1栅极绝缘膜要厚的膜厚的第2栅极绝缘膜，形成具有在所述第1栅极绝缘膜上沿第1方向延伸的第1部分及所述第1部分起沿与所述第1方向不同的第2方向延伸的第2部分、而且使形成所述第1部分与所述第2部分的内角的部分设置在所述第2栅极绝缘膜上的栅极电极，以及在所述支持基板内形成将所述栅极的所述第1部分下方的沟道区夹在当中的源极/漏极扩散层。