| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储器装置(2)具备由通过施加电应力使电阻值变化的非易失性电阻变化存储器元件(23B)和选择晶体管(23A)组成的存储器单元(23)，以及将字线电压提供给连接到所述存储器单元的字线的字线电压提供设备(22)，在进行存储器单元的程序操作和验证所述存储器单元(23)的程序状态的校验操作的场合，所述字线电压提供设备(22)对于所述程序操作和所述校验操作的互为前后的2个操作，将相同的电压的字线电压提供给连接到写入对象的所述存储器单元(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN1499526A | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
| 申请号 | CN200310114843.6 | 申请日期 | 2003.11.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 滨口弘治 |
| 分类号 | G11C11/40 | 主分类号 | G11C11/40 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 罗亚川 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器装置，其特征在于，它具备由通过施加电应力使电阻值变化的非易失性电阻变化存储器元件和选择晶体管组成的存储器单元，以及将字线电压提供给连接到所述存储器单元的字线的字线电压提供设备，所述字线电压提供设备对于所述存储器单元的程序操作和验证所述存储器单元的程序状态的校验操作的互为前后的2个操作，将相同电压的字线电压提供给连接到写入对象的所述存储器单元的所述字线。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||