发明名称 |
电子束曝光方法 |
摘要 |
公开了一种电子束曝光方法,在所述的方法中,使用具有散射区的掩膜,并设置限制孔,以控制由所述掩膜散射通过的散射电子数量,根据通过掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射的反差,进行图案曝光;根据图案密度,通过改变掩膜散射区域的厚度,控制散射电子的散射角度,并调整通过限制孔的散射电子数量,利用通过所述限制孔的散射电子修正曝光,在图案曝光的同时执行邻近效应修正;还公开了用于这种方法的掩膜和电子束曝光系统。 |
申请公布号 |
CN1142579C |
申请公布日期 |
2004.03.17 |
申请号 |
CN00130141.1 |
申请日期 |
2000.10.17 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
山下浩 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1.一种限制散射角型电子束曝光方法,其中使用具有散射区域的掩膜,并设置一个包括中心开口和围绕所述中心开口的闭合带状开口的限制孔,以控制由所述掩膜散射通过的散射电子的数量,根据在通过所述掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射反差,藉此执行图案曝光;其中通过根据图案密度改变掩膜散射区的厚度,控制散射电子的散射角度,并调整通过限制孔的散射电子数量,使用通过所述限制孔之后的散射电子用于修正曝光,在图案曝光的同时执行邻近效应修正。 |
地址 |
日本东京都 |