| 发明名称 | 键合强度可调节的柔性衬底 | ||
| 摘要 | 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1452214A | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN02105735.4 | 申请日期 | 2002.04.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张志成;杨少延;黎大兵;陈涌海;王占国 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L27/00;H01L31/18;H01L31/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种键合强度可调节的柔性衬底，其特征在于，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||